Otritsatel'nyy izotopnyy sdvig LO-fonona v 3C-SiC: universal'nyy mekhanizm dominirovaniya mass-effekta v kubicheskikh kristallakh

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅或者付费存取

详细

Обнаружено новое физическое явление: доминирование изотопного масс-эффекта над вкладом деформаций (strain) в кубических кристаллах, проявляющееся отрицательным сдвигом частоты фононов. На примере 3C-SiC экспериментально доказана универсальность связи ω ∼ μ−1/2 для симметричных решеток. Контраст с положительными сдвигами в анизотропных 4Н/6Н-SiC доказывает ключевую роль симметрии кристалла в конкурентном разделении вкладов масс-эффекта и деформаций.

作者简介

M. Dolgopolov

Самарский государственный технический университет

Email: mikhaildolgopolov68@gmail.com
443100 Самара, Россия

A. Chipura

Самарский государственный технический университет

443100 Самара, Россия

参考

  1. Е. В. Андреев, М. В. Долгополов, В. И. Чепурнов, А. С. Чипура, Письма в ЭЧАЯ 22(4)(261), 922 (2025).
  2. M. Stuiver and H. A. Polach, Radiocarbon 19(3), 355 (1977).
  3. G. F. Knoll, Radiation Detection and Measurement, 4th ed., Wiley, Hoboken, New Jersey, USA (2010).
  4. А. П. Жернов, А. В. Инюшкин, УФН 171, 827 (2001); doi: 10.1070/PU2001v044n08ABEH000965.
  5. A. Stangl, D. Pla, C. Pirovano, O. Chaix-Pluchery, F. Baiutti, F. Chiabrera, A. Tarancon, C. Jimenez, M. Mermoux, and M. Burriel, Adv. Mater. 35, 2303259 (2023); doi: 10.1002/adma.202303259.
  6. M. Cardona, M. L. W. Thewalt, Rev. Mod. Phys. 77, 1173 (2005); doi: 10.1103/RevModPhys.77.1173.
  7. M. A. Capano, B. C. Kim, A. R. Smith, E. P. Kvam, S. Tsoi, and A. K. Ramdas, J. Appl. Phys. 100(8), 083514 (2006); doi: 10.1063/1.2357842.
  8. M. Cardona, Resonance Phenomena, in Light Scattering in Solids II, ed. by M. Cardona, and G. Güntherodt, Topics in Applied Physics, Springer, Berlin, Heidelberg (1982), p. 19; doi: 10.1007/3-540-11380-0_14.
  9. M. Amirmazlaghani, A. Rajabi, Z. Pour-mohammadi, and A. A. Sehat, Superlattices Microstruct. 145, 106602 (2020); doi: 10.1016/j.spmi.2020.106602.
  10. B.L. Anderson and R.L. Anderson, Fundamentals of Semiconductor Devices., Second Edition. McGraw-Hill Education, Columbus, Ohio, USA (2005).
  11. Патент # 2653398 C2 Российская Федерация, МПК С23С 16/32, С23С 16/44, Н0IL 21/205. Способ получения пористого слоя гетероструктуры карбида кремния на подложке кремния: # 2016129598: заявл. 19.07.2016: опубл. 08.05.2018 / В.И. Чепурнов, М.В. Долгополов, А.В. Гурская, Н.В. Латухина; заявитель федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева", Общество с ограниченной ответственностью "БегаВольтаика", EDN LGUCAE.
  12. Патент # 2733616 C2 Российская Федерация, МПК С30B 29/36, С30B 31/06, G21H 1/02. Карбид кремния: материал для радиоизотопного источника энергии: заявл. 11.03.2020: опубл. 05.10.2020 / О.Л. Сурин, В.И. Чепурнов; заявитель Общество с ограниченной ответственностью "БегаВольтаика"; EDN UHGHAI.
  13. M.V. Dolgopolov and A.S. Chipura, J. Power Sources 613, 234896 (2024); doi: 10.1016/j.jpowsour.2024.234896.
  14. Патент # 2767098 C2 Российская Федерация, МПК С30B 25/08, С30B 25/14, С30B 25/18. CVD-реактор синтеза гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевых подложках: # 2021122786: заявл. 29.07.2021: опубл. 16.03.2022 / О.Л. Сурин, В.И. Чепурнов; заявитель Общество с ограниченной ответственностью "Открытый кол"; EDN KZLHGN.
  15. V.N. Lednev, M.Ya. Grishin, S.M. Pershin, and A.F. Bunkin, Opt. Lett. 41, 4625 (2016); doi: https://doi.org/10.1364/OL.41.004625.
  16. N. Liu, A. Steele, L.R. Nittler, and C.M.O'D. Alexander, 46th Lunar Planet. Sci. Conf. 2173.pdf (2015), 2 p.; www.hou.usra.edu/meetings/lpsc2015/pdf/2173.pdf
  17. Q. Zhao, Z. Liu, K. Huo, W. Zhang, B. Xiao, Y. Xiong, Y. Huang, C. Huang, Y. Luo, Y. Liu, L. Wang, A. Basit, G. Shen, Y. Luo, Q. Jiang, X. Li, and J. Yang, Carbon Neutralization. 4(5), e70039 (2025); doi: 10.1002/cnl2.70039.
  18. J. Xu, J. Zhang, and G. Zhang, J. Energy Storage. A 134, 118092 (2025); doi: 10.1016/j.est.2025.118092.
  19. Z. Li, K. Li, Y. Wang, and S. Wang, Joule 9, 102133 (2025); doi: 10.1016/j.joule.2025.102133.

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2025