Немагнитный механизм рассеяния назад в геликоидальных краевых состояниях
- Авторы: Крайнов И.В.1, Ниязов Р.А.1,2, Аристов Д.Н.1,2,3, Качоровский В.Ю.3
-
Учреждения:
- Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
- Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Петербургский институт ядерной физики
- Санкт-Петербургский государственный университет
- Выпуск: Том 122, № 7-8 (2025)
- Страницы: 495-506
- Раздел: Статьи
- URL: https://vestnik-pp.samgtu.ru/0370-274X/article/view/697139
- DOI: https://doi.org/10.7868/S3034576625100196
- ID: 697139
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Исследован механизм индуцированного взаимодействием рассеяния назад в геликоидальных краевых состояниях двумерного топологического изолятора, туннельно связанного с локализованной областью (островком), расположенной вблизи краевого канала. Этот механизм не связан с неупругим рассеянием и обусловлен флуктуациями так называемой нулевой моды в островке. Подробно рассмотрена простейшая модель островка в виде полости в объеме топологического изолятора. Такая полость также обладает геликоидальными краевыми состояниями, туннельно-связанными с геликоидальными состояниями, окружающими топологический изолятор. Ключевую роль играет краевой ток в островке. Хотя среднее значение этого тока равно нулю, его флуктуации, описываемые в приближении нулевой моды, при учете электрон-электронного взаимодействия, действуют подобно магнитному потоку, тем самым допуская процессы рассеяния назад, включающие туннелирование через островок. Выпрямление этих флуктуаций приводит к конечной вероятности рассеяния назад. Этот эффект дополнительно усиливается благодаря процессу сбоя фазы, доминирующий вклад в который также определяется флуктуациями нулевой моды. Примечательно, что для температур, превышающих расстояние между уровнями в островке, скорость рассеяния назад не зависит от температуры, что хорошо согласуется с недавними экспериментами.
Об авторах
И. В. Крайнов
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
Email: igor.kraynov@mail.ru
С.-Петербург, Россия
Р. А. Ниязов
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Петербургский институт ядерной физикиС.-Петербург, Россия; Гатчина, Россия
Д. Н. Аристов
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Петербургский институт ядерной физики; Санкт-Петербургский государственный университетС.-Петербург, Россия; Гатчина, Россия; С.-Петербург, Россия
В. Ю. Качоровский
Санкт-Петербургский государственный университетС.-Петербург, Россия
Список литературы
- B. A. Bernevig and S.-C. Zhang, Phys. Rev. Lett. 96, 106802 (2006).
- B. A. Bernevig, T. L. Hughes, and S.-C. Zhang, Science 314, 1757 (2006).
- C. L. Kane and E. J. Mele, Phys. Rev. Lett. 95, 146802 (2005).
- M. Konig, S. Wiedmann, C. Brune, A. Roth, H. Buhmann, L. W. Molenkamp, X.-L. Qi, and S.-C. Zhang, Science 318, 766 (2007).
- M. Konig, M. Baenninger, A. G. F. Garcia, N. Harjee, B. L. Pruitt, C. Ames, P. Leubner, C. Brune, H. Buhmann, L. W. Molenkamp, and D. Goldhaber-Gordon, Phys. Rev. X 3, 021003 (2013).
- G. Gusev, Z. Kvon, E. Olshanetsky, and N. Mikhailov, Solid State Commun. 302, 113701 (2019).
- E. Olshanetsky, Z. Kvon, G. Gusev, and N. Mikhailov, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 147, 115605 (2023).
- Y. Tanaka, A. Furusaki, and K. A. Matveev, Phys. Rev. Lett. 106, 236402 (2011).
- J. Maciejko, C. Liu, Y. Oreg, X.-L. Qi, C. Wu, and S.-C. Zhang, Phys. Rev. Lett. 102, 256803 (2009).
- V. Cheianov and L. I. Glazman, Phys. Rev. Lett. 110, 206803 (2013).
- M. V. Durnev and S. A. Tarasenko, Phys. Rev. B 93, 075434 (2016).
- P. D. Kurilovich, V. D. Kurilovich, I. S. Burmistrov, Y. Gefen, and M. Goldstein, Phys. Rev. Lett. 123, 056803 (2019).
- T. L. Schmidt, S. Rachel, F. von Oppen, and L. I. Glazman, Phys. Rev. Lett. 108, 156402 (2012).
- J. I. Vayrynen, M. Goldstein, and L. I. Glazman, Phys. Rev. Lett. 110, 216402 (2013).
- J. I. Vayrynen, M. Goldstein, Y. Gefen, and L. I. Glazman, Phys. Rev. B 90, 115309 (2014).
- V. A. Sablikov, Phys. Rev. B 102, 075434 (2020).
- P. P. Aseev and K. E. Nagaev, Phys. Rev. B 94, 045425 (2016).
- H. Maier, J. Ziegler, R. Fischer, D. Kozlov, Z. D. Kvon, N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, and D. Weiss, Nature Commun. 8, 2023 (2017).
- J. Ziegler, Quantum transport in HgTe topological insulator nanostructures, Ph. D. thesis, University of Regensburg, Regensburg (2019).
- P. Delplace, J. Li, and M. Buttiker, Phys. Rev. Lett. 109, 246803 (2012).
- R. A. Niyazov, D. N. Aristov, and V. Y. Kachorovskii, Phys. Rev. B 108, 075424 (2023).
- J. C. Y. Teo and C. L. Kane, Phys. Rev. B 79, 235321 (2009).
- A. P. Dmitriev, I. V. Gornyi, V. Y. Kachorovskii, and D. G. Polyakov, Phys. Rev. Lett. 105, 036402 (2010).
- A. P. Dmitriev, I. V. Gornyi, V. Y. Kachorovskii, D. G. Polyakov, and P. M. Shmakov, JETP Lett. 100, 839 (2015).
- A. P. Dmitriev, I. V. Gornyi, V. Y. Kachorovskii, and D. G. Polyakov, Phys. Rev. B 96, 115417 (2017).
- T. Gianarchi, Quantum Physics in One Dimension, The international series of monographs on physics, Oxford University Press, Clarendon (2004), v.121.
- R. A. Niyazov, I. V. Krainov, D. N. Aristov, and V. Y. Kachorovskii, A mechanism of strong backscattering in helical edge states, the paper is being prepared for publication.
- F. D. M. Haldane, J. Phys. C Solid State Phys. 14, 2585 (1981).
- D. Loss, Phys. Rev. Lett. 69, 343 (1992).
- Y. M. Galperin, B. L. Altshuler, J. Bergli, and D. V. Shantsev, Phys. Rev. Lett. 96, 097009 (2006).
- J. Schriefl, Y. Makhlin, A. Shnirman, and G. Schon, New J. Phys. 8, 1 (2006).
- C. Neuenhahn, B. Kubala, B. Abel, and F. Marquardt, Phys. Status Solidi B 246, 1018 (2009).
- D. N. Aristov and R. A. Niyazov, Phys. Rev. B 94, 035429 (2016).
Дополнительные файлы

