Отправить статью по E-mail 
Установка для исследования стойкости полупроводниковых приборов к воздействию электростатического разряда методом импульса линии передачи
- Авторы: Кузнецов В.В.1, Андреев В.В.1
-
Учреждения:
- Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана
- Выпуск: № 2 (2024)
- Страницы: 64–69
- Раздел: ЭЛЕКТРОНИКА И РАДИОТЕХНИКА
- URL: https://vestnik-pp.samgtu.ru/0032-8162/article/view/670198
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0032816224020087
- EDN: https://elibrary.ru/QSZJOP
- ID: 670198
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Аннотация
Представлена экспериментальная установка для исследования стойкости полупроводниковых приборов к воздействию электростатического разряда методом импульса линии передачи. Данная установка позволяет измерять импульсные вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов и защитных элементов, а также проводить исследование стойкости микроэлектронных устройств к электростатическому разряду, в том числе и без их разрушения. Установка обеспечивает создание испытательных импульсов напряжения прямоугольной формы длительностью 100 нс, согласно стандарту IEC62615, и обеспечивает амплитуду импульса тока разряда до 10 А.
Полный текст
Об авторах
В. В. Кузнецов
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана
Автор, ответственный за переписку.
Email: vadim.kuznetsov@bmstu.ru
Россия, 105005, Москва, 2-я Бауманская ул., 5, с. 1
В. В. Андреев
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана
Email: vladimir_andreev@bmstu.ru
Россия, 105005, Москва, 2-я Бауманская ул., 5, с. 1
Список литературы
- Семкин Н.Д., Воронов К.Е., Ильин А.Б., Пияков А.В., Шатров С.А., Плохотниченко П.Г. // ПТЭ. 2017. № 2. С. 110. https://doi.org/10.1134/S0020441217010274
- Абрамешин А.Е., Галухин И.А., Кечиев Л.Н., Кузнецов В.В., Назаров Р.В. // Технологии электромагнитной совместимости. 2012. № 3. С. 44.
- Voldman S.H. // 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology. Beijing, Chinea. 2008. P. 325. https://doi.org/10.1109/ICSICT.2008.4734537
- Ammer M., Esmark K., zur Nieden F., Rupp A., Cao Y., Sauter M., Maurer L. // 39th Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD), Tucson, USA. 2017. P. 1. https://doi.org/10.23919/EOSESD.2017.8073438
- Наумов В.В., Гребенщиков О.А., Залесский В.Б. // ПТЭ. 2007. № 1. С. 164. eLIBRARY ID: 9465475
- Barth J.E., Verhaege K., Henry L.G., Richner J. // IEEE Transactions on Electronics Packaging Manufacturing. 2001. V. 24. P.99. https://doi.org/10.1109/6104.930960
- Ashton R.A. // Proceed. International Conference on Microelectronic Test Structures. Nara, Japan.1995. P. 127. https://doi.org/10.1109/ICMTS.1995.513959
- Вьюхин В.Н. // ПТЭ. 2020. № 1. С. 52. https://doi.org/10.1134/S0020441219060216
- Du F., Song S., Hou F., Song W., Chen L., Liu J., Liou J.J.// IEEE Electron Device Letters. 2019. V. 40. P. 1491. https://doi.org/10.1109/LED.2019.2926103
- Teh G.L., Chim W.K. // Proceedings of the 6th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits. Singapore. 1997. P. 156. https://doi.org/10.1109/IPFA.1997.638186
- Kuznetsov V. // IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility. 2018. V. 60. P. 107. https://doi.org/10.1109/TEMC.2017.2700492
- Максимов И.В., Кузнецов В.В., Андреев В.В. // Технологии электромагнитной совместимости. 2017. № 4(63). С. 35.
- Andreev D.V., Maslovsky V.M., Andreev V.V., Stolyarov A.A. // Phys. Status Solidi A. 2022. V. 219. № 9. P. 2100400. https://doi.org/10.1002/pssa.202100400
Дополнительные файлы
